碳化硅（SiC）作为发展第三代半导体产业的关键基础材料，具有禁带宽度大、热导率高、击穿电场强高等优异的物理特性，是制造高温、高频、大功率以及抗辐照电子器件的理想材料，在新型电力电子器件、半导体照明、微波器件、航空航天等领域具有重要的应用前景，是当前全球半导体产业的新热点。 

中国科学院上海硅酸盐研究所通过自主研发创新，在SiC单晶生长设备、晶体生长和加工技术等方面形成了整套具有自主知识产权的核心技术。近来，上海硅酸盐研究所在降低SiC晶体微管密度和位错缺陷方面再获突破，实现了低缺陷密度直径100mm（4英寸）SiC晶体批量生产，使4英寸SiC晶片的各项性能指标达到国际先进水平，标志着上海硅酸盐研究所在大尺寸SiC晶体研发与产业化方面迈上了一个新台阶，为湖州先进材料产业创新中心SiC晶体产业化奠定基础。同时，上海硅酸盐研究所将紧跟SiC晶体产业国际发展趋势，加快推进直径150mm（6英寸）SiC晶体的研发和产业化进程。 

　　低缺陷密度直径100mm（4英寸）SiC晶体