碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表，在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。然而碳化硅晶体制备存在成本高、能效低等问题，限制了碳化硅晶体在民用领域的大规模应用。
中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部借鉴上海硅酸盐所发明的多坩埚下降晶体制备技术，在对气相输运与沉积基本科学技术原理深入认识的基础上，发明了多头物理气相输运技术，成功实现单炉次制备多个碳化硅晶体，所得晶体的一致性、重复性和稳定性有明显提升。采用多头物理气相输运技术使晶体制备效率提高至传统制备技术的300%以上，制备成本则降低至原来的40%以下，有望实现低成本、高效率碳化硅晶体制备，有效推动其在民用领域的大规模应用。
多头物理气相输运技术碳化硅晶体制备过程
