近日，国际电工委员会纳米电工产品与系统技术委员会（IEC/TC 113）正式发布国际标准IEC TS 62607-6-23:2025 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-23: Graphene-related products - Sheet resistance, carrier density, carrier mobility: Hall bar method（纳米制造 - 关键控制特性 - 第6-23部分：石墨烯相关产品 – 方块电阻，载流子浓度，载流子迁移率：霍尔棒法）。该标准由中国科学院上海微系统与信息技术研究所王浩敏研究团队牵头提案并组织编制，国家纳米科学中心、深圳市标准技术研究院、泰州巨纳新能源有限公司以及来自德国、韩国、加拿大的专家参与制定工作。

该标准聚焦石墨烯薄膜在电子器件、显示、通信和可穿戴设备等领域广泛应用的关键性能参数——载流子迁移率和方块电阻，针对当前测量方法不统一、结果难以比对的问题，首次在国际上建立了基于霍尔棒法的标准化测量流程。该标准详细规定了石墨烯霍尔器件的样品制备、电极制作、保护层沉积、等离子体刻蚀等关键工艺步骤，提出了适用于低成本、高效率制备的硬掩模工艺，避免使用光刻工艺，显著降低了设备门槛。此外，标准中还明确了测量系统的配置要求、环境条件、数据分析和结果报告格式，为石墨烯薄膜在透明导电膜、柔性电极等应用中的质量控制和产品开发提供了科学、可靠的测量依据。该标准的发布将有力促进石墨烯薄膜性能评价的规范化和国际化，推动石墨烯材料在高新技术领域的产业化应用和高质量发展。

该标准在IEC网站的相关发布信息：https://webstore.iec.ch/en/publication/64056.